自己紹介 Introduction

岩城聡明(いわきとしひろ)です。株式会社ナチュラニクスでCOOを勤めながら、GaN HEMTの誤点弧の研究をしております。


日立アプライアンスで室外機 電気基板の開発設計を5年半、LG Japan Labで車載向けインバータの研究開発を5年勤め、現在に至ります。


学術研究-企業研究-開発-設計-量産と、ものづくりのすべての工程に関わった経験を生かし、製品視点、設計視点を切り口とした研究に取り組んでいます。



研究内容 Research

●取り組み内容

GaN HEMT誤点弧、SiC・GaN・Ga2O3などの先端デバイス駆動、アクティブゲート、ノイズ解析、大電流・高電圧インバータ・コンバータ、機電一体、ドライバーIC、パワーモジュール、IPM、13.56MHz高周波回路



●発表・論文

[1] GaN HEMT 誤点弧現象の解析及び設計法に関する研究

岩城聡明・澤田高志(名古屋大学)・石脇誠也(島根大学)・山本真義(名古屋大学)

平成30年 電気学会 産業応用部門大会 2018年8月29日


[2] パワー半導体におけるモデル化と次世代半導体 モジュールの実装技術

岩城 聡明

GaNコンソーシアム研究会 2018年2月16日


[3] Application側からみた次世代 Power Deviceのあるべき姿と基板設計、実装技術について

岩城 聡明

名古屋大学 第6回パワエレ塾 2017年12月15日


[4] An mathematical analysis of false turn-on phenomenon of GaN HEMT

Iwaki, T., Sawada, T., & Yamamoto, M.

2017 IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ) 2017年11月20日


[5] An analysis of false turn-on phenomenon of GaN HEMT with parasitic components

Iwaki, T., Ishiwaki, S., Sawada, T., & Yamamoto, M.

2017 IEEE International Telecommunications Energy Conference (INTELEC) 2017年10月22日


[6] Mathematical Analysis of GaN HEMT False Turn-On Phenomenon

Toshihiro Iwaki, Seiya Ishiwaki, Takashi Sawada, Masayoshi Yamamoto

Electronics Letters 53(19) 2017年9月


[7] Analysis of false turn-on phenomenon of GaN HEMT with parasitic inductances for propose novel design method focusing on peak gate voltage

Ishiwaki, S., Iwaki, T., Sugihara, Y., Nanamori, K., & Yamamoto, M.

2017 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE) 2017年10月1日


[8] 回路シミュレータを用いたGaN HEMTの誤点弧解析

石脇誠也・石橋寛基・岩城聡明・山本真義

平成28年度(第67回)電気・情報関連学会中国支部連合大会 2016年10月22日



学会活動

●委員歴

[1] 2018年9月 – 2019年6月

電気学会 パワーコンバータに用いられる受動部品の研究・開発および製作技術協同研究委員会

工学研究科電気工学専攻
未来材料・システム研究所 
未来エレクトロニクス集積研究センター


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