自己紹介 Introduction
岩城聡明（いわきとしひろ）です。名古屋大学発ベンチャー企業、Link T&B 株式会社で代表取締役を務めながら、大学院ではGaN HEMTの誤オンの研究をしております。
日立アプライアンスで家庭用エアコン 白くまくんの室外機 電気基板の開発設計を5年半、LG Japan Labで車載向けインバータの研究開発を5年、島根大学発ベンチャー ナチュラニクスで急速充電技術（1~3分充電技術）の開発や特許戦略に携わり、現在に至ります。
Link T&Bでは、名古屋大学 山本真義研究室で培った研究を元に、車載機器や宇宙機器向けの電源を中心に、研究・開発・技術コンサルティングを行っております。
Link T&B 株式会社 WEBサイトはこちらよりアクセス頂けます。研究内容 Research
●取り組み内容
GaN HEMT誤点弧、SiC・GaN・Ga2O3などの先端デバイス駆動、アクティブゲート、ノイズ解析、大電流・高電圧インバータ・コンバータ、機電一体、ドライバーIC、パワーモジュール、IPM、13.56MHz高周波回路
●発表・論文
[1] GaN HEMT 誤点弧現象の解析及び設計法に関する研究
岩城聡明・澤田高志（名古屋大学）・石脇誠也（島根大学）・山本真義（名古屋大学）
平成30年 電気学会 産業応用部門大会 2018年8月29日
[2] パワー半導体におけるモデル化と次世代半導体 モジュールの実装技術
岩城 聡明
GaNコンソーシアム研究会 2018年2月16日
[3] Application側からみた次世代 Power Deviceのあるべき姿と基板設計、実装技術について
岩城 聡明
名古屋大学 第6回パワエレ塾 2017年12月15日
[4] An mathematical analysis of false turn-on phenomenon of GaN HEMT
Iwaki, T., Sawada, T., & Yamamoto, M.
2017 IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ) 2017年11月20日
[5] An analysis of false turn-on phenomenon of GaN HEMT with parasitic components
Iwaki, T., Ishiwaki, S., Sawada, T., & Yamamoto, M.
2017 IEEE International Telecommunications Energy Conference (INTELEC) 2017年10月22日
[6] Mathematical Analysis of GaN HEMT False Turn-On Phenomenon
Toshihiro Iwaki, Seiya Ishiwaki, Takashi Sawada, Masayoshi Yamamoto
Electronics Letters 53(19) 2017年9月
[7] Analysis of false turn-on phenomenon of GaN HEMT with parasitic inductances for propose novel design method focusing on peak gate voltage
Ishiwaki, S., Iwaki, T., Sugihara, Y., Nanamori, K., & Yamamoto, M.
2017 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE) 2017年10月1日
[8] 回路シミュレータを用いたGaN HEMTの誤点弧解析
石脇誠也・石橋寛基・岩城聡明・山本真義
平成28年度（第67回）電気・情報関連学会中国支部連合大会 2016年10月22日
学会活動
●委員歴
[1] 2018年9月 – 2019年6月
電気学会 パワーコンバータに用いられる受動部品の研究・開発および製作技術協同研究委員会